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“基本”（Basic）选项卡
指定晶格的局部 STU 空间中的晶格结构。STU 空间提供了指定晶格结构的特殊坐标系。
可以按 S 分段数、T 分段数、和 U 分段数指定晶格的结构。当指定分段时，还可以间接指定晶格中的晶格点数量，因为这些晶格点位于分段与晶格外部会合的地方。分区数越大，晶格点分辨率越大。
尽管您对变形的控制将随着晶格点数量的增加而增加，但是性能可能会受到影响。
默认设置为：S 具有 2 个分段，T 具有 5 个分段，U 具有 2 个分段，这提供了 20 个晶格点。
指定每个晶格点是否可以只影响附近（局部）的可变形对象的点，或可以影响所有可变形对象的点。选中启用或禁用（默认为启用）。如果启用，则可以指定“局部分段”（Local Divisions）。
仅在“局部模式”（Local Mode）处于启用状态时可用。指定每个晶格点在晶格的局部 STU 空间方面的局部影响范围。默认设置为：S 具有 2 个分段，T 具有 2 个分段，同时 U 具有 2 个分段。使用默认设置，每个晶格点只能影响离晶格点最多两个分段（在 S、T、或 U 中）的可变形对象的点。
指定晶格是以选定可变形对象为中心，还是放置在工作区原点。
通常，您会希望在对象周围居中晶格，以便可以在创建好变形器后立即创建变形效果。但是，您可能希望该对象最初不受晶格的影响，仅在它移动到基础晶格空间中时变形。例如，可能开发一个可以挤过锁眼形状影响晶格的重影（可变形对象），然后在另一侧弹出，恢复其原始形状。
启用“位置”（Positioning）可使晶格居中，禁用“位置”（Positioning）可将晶格放在工作区原点。默认为启用。
指定是否将影响晶格和基础晶格编组在一起。对影响晶格和基础晶格分组允许您同时变换（移动、旋转或缩放）两者。默认为禁用。默认情况下，不对影响晶格和基础晶格分组。
指定是否在创建变形器时将晶格设置为选定可变形对象的子对象。为它们建立父子关系允许您同时变换（移动、旋转或缩放）两者。默认为禁用。
指定是否冻结晶格变形映射。如果冻结（选中启用），则在影响晶格内变形的对象组件将固定在晶格内，并仅受影响晶格的影响，即使变换（移动、旋转或缩放）对象或基础晶格也是如此。有关详细信息，请参见“冻结晶格变形映射”。默认为禁用。
外部晶格（Outside lattice）
指定晶格变形器对其目标对象点的影响范围。允许您变换所有对象的点，即使该对象的一部分位于晶格以外。
当希望保持随机弹出晶格之外对象的正常晶格变形时，变换晶格之外的对象点非常有用。例如，在链接晶格在一起时保持晶格变形。
仅在基础晶格内的点变形。默认情况下，启用“仅在晶格内部时变换”（Transform Only If Inside Lattice）。
所有目标对象的点（晶格内部和外部）都由晶格变形。
基础晶格以及最多指定衰减距离内的点将被晶格变形。例如，如果将“衰减距离”（Falloff Distance）设定为 2.0，那么将变形基础晶格以及最多 2 个晶格宽度内的点。
指定从基础晶格到受晶格变形器影响点的距离。衰减距离单位以晶格宽度测量。例如，一个 3.0 的“衰减距离”（Falloff Distance）值将设定衰减距离为 3 个晶格宽度。
从基础晶格边到指定衰减距离，衰减将线性降低。该选项仅在“在衰减范围内则变换”（Transform If Within Falloff）处于启用状态时可用。
“高级”（Advanced）选项卡
请参见“高级变形器选项”。
指定在可变性对象的历史中放置变形器节点。有关变形器放置的详细信息，请参见“变形顺序”。
指定变形器集是否在划分中。划分中的集可以没有重叠成员。如果启用，则“要使用的划分”（Partition To Use）和“新划分名称”（New Partition Name）选项变为可用。默认为禁用。
列出所有现有划分，和默认选择“创建新划分”（Create New Partition）。如果选择“创建新划分”（Create New Partition），可以编辑“新划分名称”（New Partition Name）字段来指定新划分的名称。仅在“独占”（Exclusive）处于启用状态时可用。
指定将包含变形器集的新划分的名称。建议的划分名称是“deformPartition”，这将在该名称不存在时创建。通常，可以将所有独占变形器集放在名为“deformPartition”的划分中。但是，可以创建任意数量的划分，并命名为任何名称。仅在“独占”（Exclusive）处于启用状态时可用。
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